鉭電容器
高容量密度、穩(wěn)定可靠的片式電容器
產(chǎn)品概述
鉭電容器采用高純度鉭粉燒結(jié)成多孔陽極，經(jīng)陽極氧化形成五氧化二鉭 (Ta?O?) 介質(zhì)膜，再填充二氧化錳或?qū)щ姼叻肿幼鳛殛帢O。
具有體積容量比大、溫度特性好、漏電流小、長壽命等優(yōu)勢，廣泛應用于航空航天、醫(yī)療電子、汽車電子等高端領域。
產(chǎn)品類型
二氧化錳型 (MnO?)
- 傳統(tǒng)固態(tài)鉭電容
- 成本較低
- ESR 較高
- 應用：一般去耦/儲能
導電高分子型 (Polymer)
- 超低 ESR
- 高紋波電流
- 無熱失控風險
- 應用：CPU/GPU 供電
濕式鉭電容 (Wet)
- 電解液陰極
- 超高容量
- 寬溫工作
- 應用：航天/軍工
軸向引線型 (Axial)
- 通孔安裝
- 高耐壓
- 高可靠性
- 應用：醫(yī)療/工業(yè)
關鍵優(yōu)勢
高容量密度
單位體積容量是鋁電解的 3-5 倍
溫度穩(wěn)定性
-55°C ~ +125°C/150°C/175°C工作
低漏電流
絕緣電阻高，自放電小
長壽命
固態(tài)結(jié)構，無電解液干涸問題
小型化
0402-2917 多種 SMD 封裝
高可靠性
宇航級/車規(guī)級認證可選
封裝尺寸
| 代碼 | 尺寸 (L×W×H mm) | EIA 代碼 | 典型容量 |
|---|---|---|---|
| A | 3.2×1.6×1.6 | 1206 | 0.1μF - 100μF |
| B | 3.5×2.8×1.9 | 1210 | 0.1μF - 220μF |
| C | 6.0×3.2×2.5 | 2312 | 0.1μF - 470μF |
| D | 7.3×4.3×2.8 | 2917 | 0.1μF - 1000μF |
| E | 7.3×4.3×4.0 | 2917 (厚) | 1μF - 1500μF |
| V | 7.3×6.0×3.5 | 2924 | 10μF - 2200μF |
典型應用
筆記本電腦
CPU/GPU 去耦濾波
服務器/基站
大電流供電模塊
醫(yī)療設備
植入式/便攜式儀器
航空航天
航電系統(tǒng)/導航
汽車電子
ADAS/娛樂系統(tǒng)
軍工裝備
高可靠電子系統(tǒng)
使用注意事項
極性要求
鉭電容為有極性元件，反向電壓或浪涌可能導致失效，建議降額 50% 使用
浪涌電流
上電瞬間的浪涌電流可能損壞電容，建議串聯(lián)限流電阻或軟啟動
溫度降額
高溫環(huán)境下需降低額定電壓使用，85°C 以上建議 67% 降額
篩選要求
高可靠應用建議選擇經(jīng)過 VR 篩選、 Surge 測試的產(chǎn)品