關鍵詞：三星

據報道，隨著全球經濟局勢緊張，半導體市場放緩以及數據中心對內存的需求下滑，在手機業務下滑之后，三星的又一支柱型業務恐將遭受巨大打擊。但是作為先進存儲器技術的全球領導者，三星電子今（21）日宣布第三代10納米級（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器）。自開始批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。

三星周三再次強調了2019年內存芯片將會出現需求疲軟的與此，并認為今年對于三星來說將會是困難的一年。

“除了全球經濟放緩及貿易沖突之外，三星今年還會面臨許多的困難。”三星聯合首席執行官在首爾舉行的年度股東大會上表示。

繼手機業務下滑以后內存也遭受打擊 2019年將是三星困難的一年

據了解，本次股東大會的主要議題就是商討如何應對內存芯片需求下降。

近年來，在三星智能手機業務下滑之后，三星的主要盈利來自于內存芯片，而從去年開始，內存市場也開始疲軟。

為了解決這一問題，三星正在需求在網絡設備等領域需求新的突破，但是，三星也承認，市場競爭加劇，只有加大在半導體領域的投資，才有可能不落后于中國的競爭對手。

三星突破DRAM的擴展極限 成功研發10nm級DDR4內存

隨著10納米成為業界最小的存儲器工藝節點，三星現在已準備好應對日益增長的市場需求，新的DDR4 DRAM與之前的1Y納米級版本相比，制造生產率提高了20％以上。

10納米級 8Gb DDR4的批量生產將在今年下半年開始，以適應下一代企業服務器和預計將于2020年推出的高端PC。

“我們致力于突破技術面臨的最大挑戰，以便推動我們實現更大的創新。我們很高興為穩定生產下一代DRAM奠定了基礎，確保了性能和能效的最大化。”三星電子DRAM產品和技術執行副總裁Jung-bae Lee說。“隨著我們建立10納米級 DRAM陣容，三星的目標是支持其全球客戶部署尖端系統并推動高端內存市場的增長。

三星開發的10納米級 DRAM為加速全球IT向下一代DRAM接口（如DDR5，LPDDR5和GDDR6）的過渡鋪平了道路，這些接口將為未來的數字創新提供動力。隨后具有更高容量和性能的10納米級產品將使三星能夠增強其業務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場中的領導地位，用于包括服務器，圖形和移動設備在內的應用。

在與一家CPU制造商對8 GB DDR4模塊進行全面驗證后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將推出的內存解決方案。

根據當前的行業需求，三星計劃在其Pyeongtaek網站增加主要內存產量的比重，同時與其全球IT客戶合作，以滿足對最先進的DRAM產品不斷增長的需求。