2IGBT模塊是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20KHZ，主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即DC/AC變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET，雙極型達林頓管等,目今功率可高達1MW的低頻應用中，單個元件電壓可達4.0KV（PT結構）— 6.5KV（NPT結構），電流可達1.5KA，是較為理想的功率模塊。

　　追其原因是第三代IGBT模塊，它是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20KHZ），這兩點非常顯著的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、IR、摩托羅拉亦已在開發研制新品種。

　　IGBT模塊發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調試工作等，都與IGBT有密切的內在聯系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發，予估近2-3年內，會有突破性的進展。目今已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT，IGCT，電流型SGCT等。